麻省光子技術落戶科技園 料投資2億元 推動第三代半導體產業鏈布局
2024-07-30 16:30 
科技創新是推動新質生產力發展的關鍵之一。香港科技園與麻省光子技術今日（30日）舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵外延片中試線」啟動禮，旨在推動香港微電子產業發展，進一步完善本港創科生態圈。
全港首個第3代半導體氮化鎵外延工藝研發中心
麻省光子技術（香港）有限公司行政總裁廖翊韬表示，公司計劃於科學園設立全港首個第3代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及於創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元及設立研發團隊，帶動整個第三代半導體產業鏈佈局。
3年內完成中試並啟動外延量產產線建設
他又提到，公司計畫入駐香港科學園微電子中心，建設香港首條8寸氮化鎵外延片的研發中試產線，希望通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，3年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產的產線建設，實現年產1萬片8吋氮化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。
孫東：大力支援先進製造業在港設生產線
創新科技及工業局局長孫東表示，特區政府公布的《香港創新科技發展藍圖》，其中一個發展方向為完善創科生態圈，推進香港「新型工業化」，政府會大力支援先進製造產業，包括半導體產業在港設立或擴展先進製造生產線。
科技園公司行政總裁黃克強指，麻省光子技術決定落戶科學園及創新園，把其前沿技術及經驗帶來香港，將成為本港微電子產業及新型工業化發展歷程中的重要里程碑。他又稱，科技園一直配合政府，全力發展微電子產業，旗下有超過200家園區公司從事微電子行業，希望提升香港微電子的研發實力及產業化，助力香港成為國際創新科技中心。
記者：謝宗英
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