科学园夥麻省光子技术 设港首个氮化镓外延工艺研发中心

2024-07-31 00:00

香港科技园公司联合麻省光子技术举行香港首条超高真空「第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼」。
香港科技园公司联合麻省光子技术举行香港首条超高真空「第三代半导体氮化镓(GaN)外延片中试线启动礼」。

科技创新是推动新质生产力发展的关键之一。香港科技园与麻省光子技术公司昨日举行香港首条超高真空「第三代半导体氮化镓外延片中试线」启动礼,旨在推动香港微电子产业发展,进一步完善本港创科生态圈。创新科技及工业局局长孙东表示,第三代半导体将是香港近年来重点发展的科技领域,香港要因地制宜发展新质生产力,必须发挥好国际化优势和雄厚科研实力。专门研发氮化镓外延技术的麻省光子技术行政总裁廖翊韬宣布,将在港投资至少2亿元及设立研发团队,并开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。
广泛应用医疗电动车

半导体产业竞争激烈,氮化镓相较于传统半导体材料矽,能承受更高电压,拥有更好的导电能力,氮化镓外延工艺因此成为发展第三代半导体的关键技术。廖翊韬指,公司致力在港研发高阶第三代半导体晶圆技术,制作的晶圆片能广泛应用于医疗、电动汽车及人工智能等领域,从而节约电力成本,提升能量转换效率。他期望通过新产品的中试研发和孵化,建立前沿、完整的超高真空氮化镓外延技术和产品专利包,3年内完成中试并启动在香港的氮化镓外延量产的产线建设,实现年产1万片8寸氮化镓晶圆产能,将香港制造的外延片产品推向全球市场。

廖翊韬解释,选择落户香港,是希望公司在一个具技术、人才、资本密集的国际化环境中发展,未来将在港招聘博士毕业生以及从事半导体开发的专业人员。他亦认为香港在中西文化交流方面有不可替代的优势,有助将香港制造的外延片产品推向全球市场。

孙东指,非常高兴迎来全球氮化镓外延工艺先驱企业、麻省光子技术公司落户香港。他称,氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术,麻省光子技术在港投资设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心,以及依托即将成立的微电子中心,准备投资超过2亿港元建立首条高阶量产型8寸车规级氮化镓外延片中试线,将加速推动香港新型工业化,以及微电子生态圈的发展,同时亦助力壮大香港创科人才库。
协助初创促进产学研

孙东又提到,特区政府正以产业导向为原则,积极推进微电子产业发展,香港微电子研发院将于今年内成立,并将设立碳化硅和氮化镓两条中试线,协助初创、中小企业进行试产、测试和认证,促进产、学、研在第三代半导体核心技术上的合作。

科技园公司行政总裁黄克强指,麻省光子技术决定落户科学园及创新园,把其前沿技术及经验带来香港,将成为本港微电子产业及新型工业化发展历程中的重要里程碑。他又称,科技园会配合政府全力发展微电子产业,旗下有超过200间园区公司从事微电子行业,希望提升香港微电子的研发实力及产业化,助力香港成为国际创新科技中心。

關鍵字

最新回应

相關新聞

You are currently at: std.stheadline.com
Skip This Ads
close ad
close ad