美擬推措施阻華取得先進半導體技術 三星海力士中國廠房或獲放行 

傳媒引述消息人士報道，美國總統拜登政府計畫對中國記憶體晶片製造商採取新管制措施，目的是阻撓北京科技和軍事發展，但不打算波及南韓三星和SK海力士公司。據報美國政府打算容許美國晶片生產設備供應商，可以供應先進產品給在中國設有DRAM記憶晶片生產線的三星和SK海力士，但不容許美商向中資公司提供相關設備。

路透社引述消息人士指，美國商務部計畫本周對中國推出新一波技術出口管制措施，如果長江存儲（YMTC）和長鑫存儲（CXMT）之類的中國企業是在製造先進的動態隨機存取記憶體（DRAM）或快閃記憶體晶片（NAND Flash），美方很可能會拒絕美國供應商的申請，不讓他們向這些中國企業運送相關設備。 

美國計畫對中國記憶體廠商採取新管制措施，按圖輯瀏覽：

三星陝西省設有生產NAND快閃記憶體晶片工廠。路透社資料圖片

SK海力士先前收購英特爾在大連的NAND晶片業務。路透社資料圖片

美國推出的技術限制措施將不會影響兩間韓企在華業務。路透社資料圖片

美國已禁止向中國出口尖端晶片生產技術及設備。路透社資料圖片

內地晶片生產商長江存儲預料將遭美國出口限制打擊。網上圖片

不過消息人士說，若是申請許可向在中國生產先進記憶體晶片的外國公司出售設備，當局將採逐案審查，可能會允許這些外商取得設備。知情人士說：「目標是不傷害非本土企業。」

此舉可望緩解南韓記憶體晶片製造商的疑慮，他們最擔心的就是美國可能會阻礙他們在中國的製造業務，以力阻中國的崛起、重創長江存儲，以及保護處於弱勢的美國記憶體晶片製造商。不過他們還是擔心逐案審查的標準，遠不如明確批准美國設備出貨到中國工廠，可能導致他們與主管機關爭執哪些應該獲准出貨。

三星在中國陝西省設有生產NAND快閃記憶體晶片的工廠，其競爭對手SK海力士公司先前收購英特爾公司在大連的NAND快閃記憶體晶片製造業務，並在另一座中國工廠生產DRAM晶片。新的管制措施鎖定位於中國的動態隨機存取記憶體晶片和儲存型快閃記憶體晶片製造商。

消息人士表示，美國供應商尋求向位於中國的半導體公司運送設備，如果這些公司生產的是18納米以上的DRAM晶片、128層以下的NAND快閃記憶體晶片或14納米以上的邏輯晶片，美國供應商將毋須向美國商務部申請許可。不過，若將精密科技賣給生產18納米以下的DRAM晶片、128層以上NAND快閃記憶體晶片或14納米以下邏輯晶片的中國本土晶片製造商，美國企業必須申請許可，將受到嚴格的「拒絕推定」標準審查。

消息人士還說，若是尋求將設備賣給在中國營運且生產相同類型晶片的外企，美國供應商也將面臨許可證要求，但申請會逐案審查。白宮和商務部都拒絕發表評論。SK海力士、三星、YMTC和CXMT則沒有回應置評請求。中國駐美國大使館把這項預期的新規定描述為「科技霸凌」，指責美國利用其「技術實力…阻礙和抑制新興市場和發展中國家的發展」。

《星島頭條》APP經已推出最新版本，請立即更新，瀏覽更精彩內容：https://bit.ly/3yLrgYZ