三星電子領先台積電發表全球首款3納米芯片

韓國《中央日報》報道，7月25日，三星電子在京畿道華城的極紫外線光刻(EUV)專用代工(半導體委托生產)設施V1生產線舉行了全球首次應用全環繞柵極(GAA)技術的3納米晶圓代工製程芯片的出廠儀式。

三星的3納米芯片使用GAA(Gate All Around)技術，與現有的FinFET技術相比，具有更高的功率效率和更快的性能。該技術將用於為服務器和數據中心製造高性能計算芯片，還將用於製造智慧手機、平板電腦、可穿戴設備、個人電腦等的高階芯片。

三星電子從2000年代初開始研究GAA晶體管結構，並於2017年成功將其應用於3納米芯片。據報道，三星電子的3納米芯片批量生產比台積電領先一步。