华为等申专利 图突破限制产5纳米晶片

外电报道，华为与内地国资晶片制造设备开发商新凯来正就一晶片制造方法申请专利，此方法虽然技术含量低，但能有效制造先进半导体，有望提高华为突破美国限制中国高端制造创新的可能性。

报道指，根据两企向中国知识产权当局提交的文件，有关专利涉及「自对准四重成像技术（SAQP）」，或有助减少采用高阶光刻技术以生产先进制程晶片，推使华为能够在没有荷兰晶片设备制造巨头ASML最先进的极紫外线（EUV）光刻机下，仍能生产高端晶片。

文件显示，新凯来具有采用深紫外线（DUV）光刻技术、晶片制造机器和SAQP技术的专利，以达到生产5纳米晶片的某些技术门槛。不过，有研究机构指，SAQP能够让华为制造5纳米晶片，但不能完全克服没有EUV的技术问题。