三星芯片研究园区在韩国龙仁市动工 李在熔特赦后出席

8月19日，在韩国京畿道龙仁市器兴园区，获得特赦的三星电子副会长李在熔出席三星电子器兴半导体研发(R&D)园区动工仪式。

器兴园区内研发园区预计将成为开发NAND闪存、晶圆代工(半导体委托生产)、系统半导体相关新技术的核心基地。这是三星电子自2014年在京畿道华城工厂设立设备解决方案研究中心(DSR)以来，时隔8年再次在韩国国内新建研发中心。

预计李在熔将以参加动工仪式为契机，进一步活跃一线经营活动。