三星年内将量产236层NAND快闪记忆体芯片

据韩媒报道，芯片业界透露，三星电子已经完成了第8代V NAND产品的开发，该款3D NAND芯片由236层存储单元组成，三星预计年内将实现批量生产，在可量产的NAND快闪记忆体芯片中，该产品层数最多。