继台积电之后 三星预计下周宣布量产3纳米芯片

韩媒报导，三星电子预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片，下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around(GAA)技术之上。三星称，与现有的FinFET工艺相比，该技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。

今年5月，美国总统拜登访韩时参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3纳米芯片。

三星与台积电在芯片制造领域保持激烈竞争 ，台积电近日表示，将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。而此前三星表示，其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段，计划在2025年实现量产。